Ваш заказ пустой!
Oriental Semiconductor была создана в 2008 году. Эта компания разрабатывает полупроводниковые приборы, в т.ч. мосфет транзисторы, IGBT.
Обладает собственной патентованной технологией GreenMOS, идеальное решение для различных систем преобразования энергии и особенно подходит для зарядных устройств быстрой зарядки, источников питания светодиодов, связи, серверного питания, консолей зарядки электромобилей и других приборов с преобразованием энергии высокой плотности и высокой частоты.
100 В, 180 А, 350 Вт, 0,003 Ом, TO-220-3L,
100 В, 180 А, 330 Вт, 0,003 Ом, TO-263-2L,
100 В, 70 А, 330 Вт, 0,0012 Ом, TO-220-3L,
650 В, 4 А, 35 Вт, 1,2 Ом, TO-252-2L,
800 В, 11 А, 0,38 Ом, TO-220F-3L,
100 В, 40 А, 75 Вт, 0,02 Ом, TO-252-2L,
100 В, 70 А, 125 Вт, 0,01 Ом, PDFN5x6,
800 В, 8 А, 31 Вт, 0,65 Ом, TO-220F-3L,
800 В, 8 А, 83 Вт, 0,65 Ом, TO-252-2L,
650 В, 7 А, 37 Вт, 0,76 Ом, TO-252-2L,
650 В, 78 А, 480 Вт, 0,04 Ом, TO-247,
