Ваш заказ пустой!
Oriental Semiconductor была создана в 2008 году. Эта компания разрабатывает полупроводниковые приборы, в т.ч. мосфет транзисторы, IGBT.
Обладает собственной патентованной технологией GreenMOS, идеальное решение для различных систем преобразования энергии и особенно подходит для зарядных устройств быстрой зарядки, источников питания светодиодов, связи, серверного питания, консолей зарядки электромобилей и других приборов с преобразованием энергии высокой плотности и высокой частоты.
MOSFET N-канал 80 В/ 280А / 375Вт / 0,0026 Ом TO-263
100 В, 180 А, 350 Вт, 0,003 Ом, TO-220-3L,
100 В, 180 А, 330 Вт, 0,003 Ом, TO-263-2L,
MOSFET N-канал 100 В/ 40 А / 75 Вт / 0,02 Ом TO-220F
100 В, 70 А, 330 Вт, 0,0012 Ом, TO-220-3L,
800 В, 11 А, 0,38 Ом, TO-220F-3L,
800 В, 11 А, 0,38 Ом, TO-252
MOSFET N-канал 650 В/ 33 А / 37 Вт / 0,38 Ом TO-262
MOSFET N-канал 650 В/ 15А / 34Вт / 0,29 Ом TO-220-3F
MOSFET N-канал 650 В/ 20А / 34Вт / 0,16 Ом TO-220-3F
650 В, 4 А, 35 Вт, 1,2 Ом, TO-252-2L,
