Ваш заказ пустой!
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS была создана в 1997 году. Эта компания разрабатывает и производит полупроводниковые приборы, в т.ч. мосфет транзисторы, IGBT, микросхемы, диоды шоттки,МЭМС датчики.
Собственное производство кристаллов , в т.ч. 5 в мире производство 6ти дюймовых пластин.
В штате 400 инженеров разработчиков микросхем, 1800 инженеров разработчиков в целом, из них обладают научными степенями 390 человек.
Много лет входят в топ 10 производителей полупроводников Китая, топ 10 производителей микросхем Китая.
650 В, 7 А, 48 Вт, 0,6 Ом, TO-252-2L,
650 В, 5 А, 42 Вт, 0,78 Ом, TO-252-2L,
600 В, 47 А, 415 Вт, 0,055 Ом, TO-3PN,
MOSFET N-канал 600 В/ 11 А / 23 Вт / 0,37 Ом TO-220F-3L
MOSFET N-канал 900 В/ 9 А / 68 Вт / 1,1 Ом TO-220F
MOSFET N-канал 400 В/ 10 А / 44 Вт / 0,6 Ом TO-220F-3L
MOSFET N-канал 650 В/ 2 А / 25Вт / 4,3 Ом TO-220F
400 В, 10 А, 160 Вт, 0,6 Ом, TO-220-3L,
MOSFET N-канал 800 В/ 1 А / 33 Вт / 16 Ом TO-251-3L
3,45x3,45 мм, 120 °, SLW35, Uf(typ): 2 В, при 25 °C, If(typ): 700 мА, If(max): 1400 мА, Фe 1100 mW
3,45x3,45 мм, 120 °, SLW35, 660 нм, Uf(typ): 2 В, 530 мВт, при 85 °C, If(typ): 350 мА, If(max): 1
3,45x3,45 мм, 120 °, SLW35, 720нм, 720 нм, Uf(typ): 2 В, PPF: 2,6 umol/s PPE: 4 umol/J, 400-500 м
3,45x3,45 мм, 120 °, SLW35, Uf(typ): 2 В, при 25 °C, If(typ): 350 мА, If(max): 1000 мА,
3,45x3,45 мм, 120 °, SLW35, Uf(typ): 3 В, при 25 °C, If(typ): 700 мА, If(max): 1500 мА, Фe 1630mW
BIPOLAR 250 В/ 1 А / 20 Вт /
