Ваш заказ пустой!
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS была создана в 1997 году. Эта компания разрабатывает и производит полупроводниковые приборы, в т.ч. мосфет транзисторы, IGBT, микросхемы, диоды шоттки,МЭМС датчики.
Собственное производство кристаллов , в т.ч. 5 в мире производство 6ти дюймовых пластин.
В штате 400 инженеров разработчиков микросхем, 1800 инженеров разработчиков в целом, из них обладают научными степенями 390 человек.
Много лет входят в топ 10 производителей полупроводников Китая, топ 10 производителей микросхем Китая.
Диод Шоттки, 60 В, 2x10 А, 0.71 В, TO-220F-3L, общий катод
Диод Шоттки, 45 В, 2x10 А, 0.65 В, TO-220F-3L, общий катод
Диод Шоттки, 40 В, 2x10 А, 0.65 В, TO-220F-3L, общий катод
Диод Шоттки, 60 В, 2x5 А, 0.71 В, TO-220F-3L, общий катод
Диод Шоттки, 45 В, 2x5 А, 0.65 В, TO-220-3L, общий катод
Диод Шоттки, 45 В, 2x5 А, 0.65 В, TO-220F-3L, общий катод
Диод Шоттки, 100 В, 2x5 А, 0.85 В, TO-220F-3L, общий катод
3,45x3,45 мм, 120 °, SLW35, 660 нм, Uf(typ): 2 В, 1080 мВт, при 85 °C, If(typ): 700 мА, If(max):
кол-во каналов 1, Uпит=6~35В, Iвых=до 1000 мA, ШИМ, димминг, частота 280кГц, внешний резистор, рабоч
кол-во каналов 1, Uпит=6~35В, Iвых=до 1000 мA, ШИМ, частота 280кГц, внешний резистор, рабочая темпер
