Ваш заказ пустой!
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS была создана в 1997 году. Эта компания разрабатывает и производит полупроводниковые приборы, в т.ч. мосфет транзисторы, IGBT, микросхемы, диоды шоттки,МЭМС датчики.
Собственное производство кристаллов , в т.ч. 5 в мире производство 6ти дюймовых пластин.
В штате 400 инженеров разработчиков микросхем, 1800 инженеров разработчиков в целом, из них обладают научными степенями 390 человек.
Много лет входят в топ 10 производителей полупроводников Китая, топ 10 производителей микросхем Китая.
ШИМ, мощность 10~12Вт, рабочая температура от -20 до +85°С, корпус SOP-7-255-1.27
AC/DC LED драйвер, мощность 8~12Вт, рабочая температура от -20 до +85°С, корпус DIP-8-300-2.54
Высоковольтный AC LED драйвер, PFC, рабочая температура от -40 до +150°С, корпус SOP-7-255-1.27
PFC, рабочая температура от -40 до +150°С, корпус SOP-8-225-1.27
AC/DC LED драйвер, ШИМ, частота 120кГц, PFC, рабочая температура от -40 до +125°С, корпус SOP-7-255-
мощность 12Вт, PFC,
обратноходовый, частота 100~200кГц, рабочая температура от -20 до +85°С, корпус DIP-8A-300-2.54
AC/DC LED драйвер, PFC, рабочая температура от -40 до +85°С, корпус SOP-7-255-1.27
AC/DC LED драйвер, корпус DIP-7-300-2.54
ШИМ, мощность 12~40Вт, внешний полевой транзистор, корпус DIP-8-300-2.54
DC/DC, Uпит=8~40В, Iвых=до 2000 мA, ШИМ, частота 120кГц, рабочая температура от -20 до +85°С, корпус
Диод Шоттки, 60 В, 2x10 А, 0.71 В, TO-220F-3L, общий катод
Диод Шоттки, 45 В, 2x10 А, 0.65 В, TO-220F-3L, общий катод
Диод Шоттки, 40 В, 2x10 А, 0.65 В, TO-220F-3L, общий катод
