Ваш заказ пустой!
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS была создана в 1997 году. Эта компания разрабатывает и производит полупроводниковые приборы, в т.ч. мосфет транзисторы, IGBT, микросхемы, диоды шоттки,МЭМС датчики.
Собственное производство кристаллов , в т.ч. 5 в мире производство 6ти дюймовых пластин.
В штате 400 инженеров разработчиков микросхем, 1800 инженеров разработчиков в целом, из них обладают научными степенями 390 человек.
Много лет входят в топ 10 производителей полупроводников Китая, топ 10 производителей микросхем Китая.
Диод Шоттки, 45 В, 2x5 А, 0.65 В, TO-220-3L, общий катод
Диод Шоттки, 45 В, 2x5 А, 0.65 В, TO-220F-3L, общий катод
Диод Шоттки, 100 В, 2x5 А, 0.85 В, TO-220F-3L, общий катод
500 В, 8 А, 130 Вт, 0,9 Ом, TO-252-2L,
650 В, 2 А, 35 Вт, 4,3 Ом, TO-252-2L,
650 В, 10 А, 50 Вт, 0,8 Ом,
60 В, 5 А, 0,0018 Ом, TO-252-2L,
AC/DC LED драйвер,
AC/DC драйвер, мощность до 12Вт, корпус DIP-8-300-2.54
кол-во каналов 1, Uпит=6~35В, Iвых=до 1000 мA, ШИМ, димминг, частота 280кГц, внешний резистор, рабоч
