Ваш заказ пустой!
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS была создана в 1997 году. Эта компания разрабатывает и производит полупроводниковые приборы, в т.ч. мосфет транзисторы, IGBT, микросхемы, диоды шоттки,МЭМС датчики.
Собственное производство кристаллов , в т.ч. 5 в мире производство 6ти дюймовых пластин.
В штате 400 инженеров разработчиков микросхем, 1800 инженеров разработчиков в целом, из них обладают научными степенями 390 человек.
Много лет входят в топ 10 производителей полупроводников Китая, топ 10 производителей микросхем Китая.
3,45x3,45 мм, 120 °, SLW35, 720нм, 720 нм, Uf(typ): 2 В, PPF: 2,6 umol/s PPE: 4 umol/J, 400-500 м
3,45x3,45 мм, 120 °, SLW35, 660 нм, Uf(typ): 2 В, 530 мВт, при 85 °C, If(typ): 350 мА, If(max): 1
600 В, 47 А, 415 Вт, 0,055 Ом, TO-3PN,
400 В, 10 А, 160 Вт, 0,6 Ом, TO-220-3L,
Диод UltraFast, 200 В, 2x10 А, 35 нс, TO-220-3L, общий катод
Диод UltraFast, 200 В, 2x10 А, 35 нс, TO-220F-3L, общий катод
Диод UltraFast, 400 В, 2x8 А, 35 нс, TO-220-3L, общий катод АНАЛОГ MURH840CTG, MUR1640CTG
Диод UltraFast, 200 В, 2x8 А, 35 нс, TO-220-3L, общий катод
Диод UltraFast, 200 В, 2x8 А, 35 нс, TO-220F-3L, общий катод
Диод UltraFast, 200 В, 2x6 А, 35 нс, TO-220-3L, общий катод
Диод UltraFast, 200 В, 2x6 А, 35 нс, TO-220F-3L, общий катод
Диод UltraFast, 400 В, 10 А, 35 нс, TO-220-2L,
Диод UltraFast, 600 В, 8 А, 35 нс, TO-220-2L,
ШИМ, мощность 10~12Вт, рабочая температура от -20 до +85°С, корпус SOP-7-255-1.27
AC/DC LED драйвер, мощность 8~12Вт, рабочая температура от -20 до +85°С, корпус DIP-8-300-2.54
